【摘 要】
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为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗,沟槽栅 MOSFET的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的地步.本文用仿真方法首次系统研究了正偏工作的沟槽栅JFET ,结果证明它比MOSFET 具有低得多的高频功率损耗,并且也具有MOSFET 的通态电阻正温度系数从而可防止热奔的优点,为电源用高频低压功率开关管的发展指明了一个新的有希望的方向.
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
【出 处】
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2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会
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为充分减小低压电源使用的低压高频功率开关管的功率损耗,沟槽栅 MOSFET的尺寸已减小到潜力挖掘殆尽的地步.本文用仿真方法首次系统研究了正偏工作的沟槽栅JFET ,结果证明它比MOSFET 具有低得多的高频功率损耗,并且也具有MOSFET 的通态电阻正温度系数从而可防止热奔的优点,为电源用高频低压功率开关管的发展指明了一个新的有希望的方向.
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