【摘 要】
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具有强锚定边界的盒厚d=p0/4(其中p0为螺距)的胆甾相(TCN)液晶盒,具有两个稳定的简并构型,分别对应于0和π的指向矢旋转1.两种指向矢构型中间形成缺陷中心.垂直于基板方向(z轴方向)电场E导致缺陷的结构和性质变化.基于Landau–de Gennes动力学理论,进行数值计算,研究了TCN液晶盒中χ缺陷的动力学过程.研究结果表明：(1)在一定条件下,χ缺陷核分裂产生了τ-1/2λ+1/2向错
【机 构】
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河北工业大学理学院,天津 300401
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具有强锚定边界的盒厚d=p0/4(其中p0为螺距)的胆甾相(TCN)液晶盒,具有两个稳定的简并构型,分别对应于0和π的指向矢旋转1.两种指向矢构型中间形成缺陷中心.垂直于基板方向(z轴方向)电场E导致缺陷的结构和性质变化.基于Landau–de Gennes动力学理论,进行数值计算,研究了TCN液晶盒中χ缺陷的动力学过程.研究结果表明：(1)在一定条件下,χ缺陷核分裂产生了τ-1/2λ+1/2向错对.(2)E﹤35V/um时,向错核中心位置保持不变；向错核区域为双轴态,远离向错核区域几乎为单轴态；随E增大,从液晶盒的中心位置开始,指向矢在z轴方向上的分量逐渐增大.(3)当E﹥43V/um时,TCN液晶盒内几乎全部指向矢垂直于基板,中心向错核消失,系统为单轴态.(4)在E一定时,指向矢在z轴方向上的分量随时间延长逐渐增大.图1给出了E=35V/um,t=0.1s时描写向错对的标量展弯参数SBS等高图.图2给出了E=35V/um时,t=0.01s到t=0.13s,在y平面的夹角逐渐增大,指向矢在z轴方向上的分量逐渐增大.
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