【摘 要】
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采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固，分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件，对器件进行辐照试验，得到ID-VG特性曲线。运用中带电压法对I
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
【出 处】
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固，分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件，对器件进行辐照试验，得到ID-VG特性曲线。运用中带电压法对ID-VG特性曲线进行参数提取，进行电荷分离，得到埋氧层中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷信息。结果表明注硅改性工艺在BOX中引入了一定量的固定正电荷，但更重要的是在改性样品的BOX中引入大量电子陷阱，这补偿了辐射感生正空间电荷，抑制了辐射感生的陷阱电荷，最终得到具有优越的抗辐射性能的改性SIMOX材料。
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