【摘 要】
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通过Sb2O3、SiO2和MgO掺杂,采用传统工艺制备出具有高电位梯度的ZnO压敏陶瓷材料,研究了Sb2O3、SiO2和MgO掺杂量对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电学性能的影响.实验结果表明:Sb2O
【机 构】
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华南理工大学电子材料科学与工程系广州510640
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十届电压敏学术年会
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通过Sb2O3、SiO2和MgO掺杂,采用传统工艺制备出具有高电位梯度的ZnO压敏陶瓷材料,研究了Sb2O3、SiO2和MgO掺杂量对ZnO压敏陶瓷的微观结构和电学性能的影响.实验结果表明:Sb2O3掺杂有助于提高样品的电位梯度,Sb2O3掺杂量较大时,会导致漏电流的增大及非线性系数的降低.掺杂Si O2不仅可进一步提高材料压敏电压梯度,而且可以改善其非线性特性.MgO掺杂可进一步提高材料压敏电压梯度.当Sb2O3、SiO2和MgO掺杂量分别为2.8mol％,0.3mol％和0.2mol％时,获得的材料压敏电压梯度、非线性系数和漏电流分别为470V/mm、89和0.12μA,8/20μs电流波通流容量达到2.7KA/cm2,该材料有望用于制作GIS避雷器阀片.
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