【摘 要】
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我们通过氧化楔型Al层制备了不同氧化程度(过氧化、全氧化及欠氧化)的磁性隧道结FeNi/AlO/FeNi.磁电阻偏压特性(bias dependence)表明,随着外加电压的增加,磁性隧道结的TMR(t
【机 构】
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南京大学物理与固体微结构物理国家重点实验室(南京)
【出 处】
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第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议
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我们通过氧化楔型Al层制备了不同氧化程度(过氧化、全氧化及欠氧化)的磁性隧道结FeNi/AlO<,x>/FeNi.磁电阻偏压特性(bias dependence)表明,随着外加电压的增加,磁性隧道结的TMR(tunneling magmetoreistance)比值将很快地下降[1].测量表明MR-U曲线在过氧化区域是不对称的,而在全氧化及欠氧化区域都是对称的,且在欠氧化区域,随Al层厚度增加,样品表现出越来越强的偏压特性,即随偏压的增加,TMR比值衰减得越来越快.我们试用化学势劈裂(chemical potential splitting)模型[2]解释以上结果.
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