【摘 要】
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用RF-PECVD技术,在高氢稀释率、高辉光功率条件下获得了高电导率、宽光学带隙的P型纳米硅薄膜材料(σ=0.7S/cm,E>2.0eV).将这种材料应用于微晶硅薄膜太阳电池中,其中i-μc-Si
【机 构】
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天津市南开大学光电子薄膜器件研究所(天津)
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用RF-PECVD技术,在高氢稀释率、高辉光功率条件下获得了高电导率、宽光学带隙的P型纳米硅薄膜材料(σ=0.7S/cm,E<,opt>>2.0eV).将这种材料应用于微晶硅薄膜太阳电池中,其中i-μc-Si:H由VHF-PECVD技术制备,并采用SnO<,2>/ZnO复合透明导电极,电池结构为:glass/SnO<,2>/ZnO/p-nc-Si:H/i-μc-Si:H/n-μc-Si:H.首次获得效率η=4.2﹪的微晶硅薄膜太阳电池(V<,oc>=0.399V,J<,sc>=20.56mA/cm<2>,FF=51.6﹪).
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