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利用超声雾化热分解技术(USP),在eagle2000衬底上采用用N-Al共掺法获得了p型Zn1-xMgxO薄膜,在Al掺入比例为0.05时获得了最优的p型Zn1-xMgxO薄膜,其电学特性为电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm2/(V.s)、载流子浓度为1.24×1018cm-3.并尝试与FTO薄膜结合生成FTO/p-Zn1-xMgxO复合薄膜,应用于微晶硅薄膜电池前电极。