【摘 要】
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本文首先通过求解二维扩散方程，建立了单窗口LOCOS 技术的氧化层轮廓函数模型，然后借助Delta 函数，将任意的氧化层轮廓函数表示为一系列单窗口轮廓函数的组合，并给出了确定窗口位
【机 构】
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南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京 210003
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文首先通过求解二维扩散方程，建立了单窗口LOCOS 技术的氧化层轮廓函数模型，然后借助Delta 函数，将任意的氧化层轮廓函数表示为一系列单窗口轮廓函数的组合，并给出了确定窗口位置和窗口宽度的方法，进而基于该方法设计了一种和CMOS 工艺兼容的用于制备变厚度漂移区SOI LDMOS 的方法，TCAD 工具的2D 工艺仿真证实了该工艺方案的可行性和精确性。
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