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双层钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7的磁性相关肖特基势垒
【机 构】
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湖北大学物理学和电子技术学院,武汉,430062 俄罗斯科学院金属物理研究所,叶卡捷琳堡,俄罗斯
【出 处】
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第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议
【发表日期】
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2012年9期
其他文献
低温共烧陶瓷(Lowtemperatureco-firedceramic,LTCC)作为基板材料,已经广泛应用于高密度封装、多芯片组件、LED散热基板等.为了实现低温下(＜1000℃)与金、银、铜等金属的共烧,LTCC材料通常由玻璃和陶瓷填料复合而成.由于玻璃相的热导率较低,商业化应用中的LTCC材料的热导率通常只有2～4W/mK,这已成为LTCC技术在更高密度、大功率元器件封装应用中的一个瓶颈.
会议
Effects of Na or Bi excessive on the dielectric relaxations and dielectric response in Na0.5Bi0.5Cu3
The ceramic Na0.5Bi0.5Cu3Ti4O12 (sample 1) and 10% mol of Na excessive of Na0.5Bi0.5Cu3Ti4O12 (sample 2) and 10% mol of Bi excessive of Na0.5Bi0.5Cu3Ti4O12 (sample 3) samples were prepared by the stan
会议
Ba1-xSrxTiO3(以下简称BST)陶瓷是一类重要的铁电材料,它具有良好的介电、铁电、热释电等性能,可以用于制作多种电子元器件.晶粒尺寸对铁电畴有很大的影响,相应地对铁电体的性能也产生很大的影响.用传统固相烧结法(Conventionalsintering,以下简称CS)很难制备出具有高致密度细晶的BST陶瓷.而放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering,简称SPS)是得到高密
通过优化B位弛豫离子氧化物共烧的两步固相合成方法,成功制备出了具有纯钙钛矿结构的Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PYN-PZN-PT)三元弛豫铁电固溶体陶瓷.与传统的铌铁矿前驱体合成方法相比,这种方法能有效地抑制烧绿石相的形成.本文选取特定的PZN含量(0.20、0.35、0.45、0.52、0.60)对该体系陶瓷的显微结构、结构演化、介电、压电、
会议
锆钛酸铅镧(以下简称PLZT)铁电陶瓷具有优异的铁电、介电、热释电性能以及电光效应，引起人们广泛关注.放电等离子烧结(简称SPS)是一种利用粉末颗粒间放电促进烧结的新型快速烧结技术，具有烧结速度快、烧结温度低、减少易挥发组分的挥发以及控制陶瓷显微结构和提高材料性能的优点.本实验通过放电等离子烧结制备出了致密的PLZT陶瓷，并研究与传统固相法烧结的PLZT陶瓷在结构和性能上的差异.XRD的结果显示放
会议
在过去几十年里,掺杂锰氧化物La1-xAxMnO3(A=Ca,Sr,orBa)得到了广泛的研究,其复杂的自旋、电荷、晶格以及轨道相互作用,涉及到一系列凝聚态物理的基本问题.这其中,La1-xSrxMnO3(LSMO)作为一种典型的宽禁带锰氧化物,具有稳定的室温磁巨阻效应,是一种良好的自旋电极.BiFeO3(BFO)作为目前唯一的室温多铁性材料,成为推动当前多铁性研究的主要材料体系之一.研究者通过对
采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbHf0.3Ti0.7O3(PHT)铁电薄膜,并对薄膜的微结构和铁电性能进行了表征.通过改变生长条件,对薄膜的微结构和铁电性能进行了初步的研究.实验结果表明,在600℃条件下,直接生长的PHT薄膜主要为非铁电的焦绿石相,结构较差,无自发铁电极化.而在300℃低温自缓冲条件下生长的PHT薄膜为(111)择优取向,半高
采用磁控溅射法在LNO/SiO2/Si基底上沉积了Mn/Y共掺杂的BST薄膜,沉积温度为400℃.研究了钛酸锶缓冲层对Mn/Y共掺的BST薄膜的微观结构及电学性质的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,所有的BST薄膜呈钙钛矿结构且表面均匀、无裂纹.研究表明,当缓冲层厚度约为20nm时,BST薄膜具有较好的电学性能,在室温和100kHz时,其介电常数为450、介电损耗为0.
会议