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探讨了氮化硼（BN）对高居里点PTCR陶瓷材料电性能的影响。实验表明，在T<,c>=160℃～240℃的陶瓷中添加质量分数ω为0．06～0.25℅的BN，并且在合理的制备工艺条件下可以便室温电阻率降低，对提高PTC效应和稳定生产有利。
氮化硼对PTCR陶瓷材料电性能的影响
【摘 要】
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探讨了氮化硼（BN）对高居里点PTCR陶瓷材料电性能的影响。实验表明，在T=160℃～240℃的陶瓷中添加质量分数ω为0．06～0.25℅的BN，并且在合理的制备工艺条件下可以便室温电阻率降低，对提
【机 构】
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理工大学材料科学与工程学院(广州)
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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1998年期
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