超薄MgB2薄膜的超导电性和正常态输运特性

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dxy_10121012

【摘要】

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我们采用混合物理化学气相沉积法(HPCVD),在(0001)Al2O3或6H-SiC等衬底上外延生长了一系列从100纳米到7.5纳米厚的MgB2超导薄膜,并对薄膜的超导转变温度TC、上临界磁场HC2、

【作者】

：

张辰张焱王银博王达冯庆荣王越

【机构】

：

人工微结构与介观物理国家重点实验室,物理学院,北京大学, 100871

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

超薄超导薄膜超导电性化学气相沉积法纳米超导转变温度正常态电阻上临界磁场

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我们采用混合物理化学气相沉积法(HPCVD),在(0001)Al2O3或6H-SiC等衬底上外延生长了一系列从100纳米到7.5纳米厚的MgB2超导薄膜,并对薄膜的超导转变温度TC、上临界磁场HC2、正常态电阻ρ(T)、及磁阻(MR)等物理特性进行了测量和研究.结果表明,薄膜的TC随着薄膜厚度的减小表现出下降的趋势,但对7.5纳米厚的薄膜,TC仍然在34 K左右,接近于MgB2的块材值(39 K).

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