光照下La0.7Sr0.3MnO3-ZnO p-n结的电学特性

来源 :第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lftobto
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  由于优良的半金属特性和室温庞磁阻特性,LaSrMnO3(LSMO)等钙钛矿型锰氧化物越来越受到人们的关注.这些优异的性质使得室温高自旋注入器件成为可能.当锶元素掺入到LaMnO3中,带来双交换作用的同时,也给这一材料引入了高浓度的空穴,如果与一些天然的n型氧化物半导体如氧化锌结合,就可以实现全氧化物的光发射与探测器件,它们可以在普通半导体p-n结器件无法胜任的某些高温环境下正常工作.近年来,很多基于LSMO-ZnO p-n结整流特性以及光响应的工作被报道,使LSMO-ZnO p-n结d的基本电学与光学性质得以被人们了解.在本文中,我们研究了不同波长光照下LSMO-ZnO p-n结的整流特性的改变.该p-n结采用蓝宝石作为衬底.LSMO层采用射频磁控溅射方法制备,沉积温度为650℃.ZnO层采用分子束外延方法制备,沉积温度为800℃.p-n结在室温无光照条件下展现出良好的整流特性.然而在光照下,随着波长的变短,整流特性出现明显劣化.在波长650 nm的光照下,该p-n结就已经开始出现整流特性的退化.当波长缩短到360 nm时,已经基本失去了整流特性.光照下,p-n结的反偏电流主要来自于光生载流子的贡献.通过对LSMO和ZnO层电阻随辐照波长变化的研究,我们将整流特性的退化归因于ZnO层光生载流子的产生.
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