【摘 要】
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本文在对环孔p-n结作近似假设的基础上,忽略了产生-复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响,假设在低温下扩散电流起主要作用,并认为电极与结区之间的接触为欧姆接解.建立了环孔p-n结的电流模型.根据此模型得出了环孔p-n结的电流密度方程和R0A的计算表达式,由于n区空穴的电流密度相对p区要小的多,在简化的表达式中忽略了n区电流密度的影响.最后对上述结果进行了数值分析和计算,分别做出了R0A在中波和长
【机 构】
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南京理工大学电学院 昆明物理研究所
【出 处】
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第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会
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本文在对环孔p-n结作近似假设的基础上,忽略了产生-复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响,假设在低温下扩散电流起主要作用,并认为电极与结区之间的接触为欧姆接解.建立了环孔p-n结的电流模型.根据此模型得出了环孔p-n结的电流密度方程和R0A的计算表达式,由于n区空穴的电流密度相对p区要小的多,在简化的表达式中忽略了n区电流密度的影响.最后对上述结果进行了数值分析和计算,分别做出了R0A在中波和长波波段随温度和截止波长变化曲线.从曲线可以得出:当截止波长在中波波段3-5um时,77K-150K的温度范围都可以使用,但只有在130K或更低的温度下才有较好的性能.目前在中波段R0A值已经达到10<9>Ωcm<2>,比理论值要低2-3个数量级;对于8-10.4um波段,120K以下都有性能,而10-14um波段,要工作在100K温度之下.
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