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该文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;由Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si<,3>N<,4>薄膜的表面特性。结果表明ECR-PECVD制备的氮化硅薄膜是一种表面均匀平整度好的薄膜。
氮化硅薄膜的表面平整度特性
【摘 要】
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该文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;由Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的SiN薄膜的表面特性。结果表明ECR-PECVD制备的氮化硅薄膜是
【机 构】
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大学物理系师范大学物理系科学院等离子体物理研究所
【出 处】
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中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会
【发表日期】
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1998年7期
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