【摘 要】
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铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083中国科学院上海微系统与信息技术研究所,功能信息材料国家重点实验室上海200050
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铟镓砷(InGaAs)是重要的信息功能材料,在光通信器件和固态激光器中应用广泛.但由于其合金特性,该材料易形成铟聚集团簇或缺陷,从而导致器件性能偏离.一般认为,富铟团簇导致载流子局域,进而导致光谱能量S形温度演化[1].最近,有研究报道了相近材料中的低温俄歇复合增强效应,其根源尚不清楚[2].载流子的空间局域会增加动量不确定性,导致载流子俄歇复合过程的增强.因此,S形演化与低温俄歇复合间可能正相关.
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