【摘 要】
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与基体材料具有良好相容性的SiC纤维在聚合物基、金属基以及陶瓷基复合材料等领域具有令人瞩目的应用前景。传统的CVD法SiC纤维其最高使用温度仅约900℃、氧化先驱丝法SiC纤
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所;
【基金项目】
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中国工程物理研究院科学技术基金重大项目(2004Z0502);发展基金重点项目(2009A030216)
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与基体材料具有良好相容性的SiC纤维在聚合物基、金属基以及陶瓷基复合材料等领域具有令人瞩目的应用前景。传统的CVD法SiC纤维其最高使用温度仅约900℃、氧化先驱丝法SiC纤维也只能用于1 000℃以下,并不能满足高温应用对材料性能的要求。经过十余年的工作,建立了基于核辐射技术研制高纯度SiC纤维(使用温度>1 600℃、单丝拉伸强度达2.2～2.7 GPa)的系列关键技术。基于所得技术还发展了圆形截面管状SiC纤维(外径为10～15μm、壁厚约2～3μm)的辐射化学合成技术;在核辐射应用于Si3N4纤维、纳米微孔SiC功能陶瓷以及陶瓷基复合材料等的研制方面亦获初步进展。
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