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Fully transparent thin film transistor based on Y2O3/In2O3 with isovalent cations and favorable cond

来源 :第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ASD121406113

【作 者】

：

H.T.Cao H.Z.Zhang A.H.Chen L.Y.Liang Z.M.Liu Z.Yu Q.Wan 

【机 构】

：

Division of Functional Materials and Nano Devices,Ningbo Institute of Material Technology and Engine

【出 处】

：

第六届国际氧化锌及相关材料研讨会

【发表日期】

：

2010年4期

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