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近年来的研究表明，半导体纳米材料的光催化性能强烈地依赖于材料所暴露的高活性晶面.因此，通过暴露活性晶面成为一种提高半导体纳米材料光催化性能的重要手段.氧化锰(MnO)是一种重要的宽禁带(3.8 eV)p 型半导体材料.
暴露极性{111}晶面MnO八面体增强的光催化性能及极性(111)((1)(1)(1))晶面间的电荷分离
【摘 要】
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近年来的研究表明，半导体纳米材料的光催化性能强烈地依赖于材料所暴露的高活性晶面.因此，通过暴露活性晶面成为一种提高半导体纳米材料光催化性能的重要手段.氧化锰(MnO)
【机 构】
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陕西省能源新材料与器件重点实验室,陕西师范大学材料科学与工程学院,710119,陕西西安
【出 处】
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第十七届全国胶体与界面化学学术会议
【发表日期】
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2019年7期
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