一维碲化银的可控制备及其磁输运性能研究

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sdmaxdh
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  拓扑绝缘体是最近几年发现的一种全新的物质形态,由于其独特的能带结构及其相关的奇妙物理特性,引起了人们的广泛关注。其中,碲化银(β-Ag2Te)是一种新型的各向异性拓扑绝缘体[1,2]。由于其展现出在自旋电子学和量子计算等领域有较大的应用前景,因此高质量的一维碲化银纳米结构的合成具有十分重要的意义。基于实验室前期工作,我们设计合成了一系列一维碲化银纳米结构,利用SEM,TEM等手段详细观察了它们的生长过程,系统研究了一维碲化银纳米结构的生长机理,并对碲化银纳米线的磁致电阻和不同磁场下的I-V关系规律进行了探讨。
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