【摘 要】
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taC:N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注。本文在1mol/L HClO介质中系统地研究了不同电极电位下taC:N电极的电化学交流阻抗谱(EIS)行为。根据taC:N电极在1mol/LHClO介质中的循环伏安图，在-0.4到+1.4V(vs.SCE)的电位范围内得到了不同N含量taC:N电极的EIS复平面图，频率范围10～10Hz，振幅为5mV，停留时间为5s。
【机 构】
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北京师范大学化学学院,北京,100875 北京师范大学分析测试中心,北京,100875
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taC:N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注。本文在1mol/L HClO<,4>介质中系统地研究了不同电极电位下taC:N电极的电化学交流阻抗谱(EIS)行为。根据taC:N电极在1mol/LHClO<,4>介质中的循环伏安图，在-0.4到+1.4V(vs.SCE)的电位范围内得到了不同N含量taC:N电极的EIS复平面图，频率范围10<-2>～10<5>Hz，振幅为5mV，停留时间为5s。
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