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随着CMOS工艺的发展，多层金属布线成为艺的瓶颈。当工艺水平达到亚0。25微米时，由于线间距的减少而导致线间电容的增大，RC延迟已到了影响芯片速度的地步。寻找其他低介电常数的绝缘材料来取代二氧化硅是减少RC延迟影响的主要方法。由于新材料的引进而产生了相应的工艺问题。该文将比较一些常见的新材料及工艺。