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利用分子束磊晶（ＭＢＥ）的方法在低浊恩长掺杂杂质Ｂｅ的ＧａＡｓ化合物半导体，Ｂｅ将保使Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出而形成二维的砷析出物分布矩阵。为了探讨Ａｓ于超晶格的界面中沉淀析出的机制，在２３０℃成长掺杂杂质Ｂｅ之ＢａＡｓ层各３０ｎｍ，如此循环１５个周期，并在类似条件下，将掺杂杂质Ｂｅ之ＢＧａＡｓ层以厚度分别为３０，４０，５０，６０，７０和８０ｎｍ３个周期循环依序成长，最后并利用二次离子质谱仪具有优良的纵深分布的分析特性与能力，来探讨其结构并推测其可能的析出机制。