【摘 要】
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低阶模内爆不对称性是阻碍NIF装置上[G.H.Miller, et al.,Nucl.Fusion 44,S228(2004)]的高脚(high-foot)内爆实验核产能进一步提升主要原因,而柱腔中X辐射源的不对称性是其中主要种子之一.我们进一步研究发现金柱腔中M带的辐射不对称性也会严重影响点火靶的内爆性能[Yongsheng Li et al.,Phys.Plasmas 23,072705(20
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低阶模内爆不对称性是阻碍NIF装置上[G.H.Miller, et al.,Nucl.Fusion 44,S228(2004)]的高脚(high-foot)内爆实验核产能进一步提升主要原因,而柱腔中X辐射源的不对称性是其中主要种子之一.我们进一步研究发现金柱腔中M带的辐射不对称性也会严重影响点火靶的内爆性能[Yongsheng Li et al.,Phys.Plasmas 23,072705(2016)].在此我们通过模拟和比较X光驱动的掺锗点火靶和掺硅点火靶的内爆性能,研究烧蚀层中的中高Z掺杂元素对辐射源中金M带辐射P2不对称性的匀滑效果.结果 表明：金M带的预热效果加速了对烧蚀层的烧蚀和壳层的加速效果,P2的M带不对称性会造成负P2的热斑和壳层形状.
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