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采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，本实验选用廉价衬底，主要包括玻璃片、不锈钢片、低品质的金属硅片。通过单因素法探讨了沉积气压、硅烷浓度、辉光功率及衬底温度对薄膜沉积速率的影响。结果表明:在本文实验研究的范围内，非晶硅薄膜的沉积速率随硅烷浓度的增加、衬底温度的升高、反应气压和辉光功率的增大而增加。并通过扫描电镜（SEM）对薄膜样品的表面形貌进行了测试分析。在相同条件下，以玻璃和硅片为衬底的样品表面比较平整，不锈钢片衬底则比较粗糙。