【摘 要】
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SiC器件由于具有高的禁带宽度,高的热传导,以及高耐压等特点,可以工作于高温,高频条件下,并且能够显著的减小控制器重量和体积逐渐成为研究的热点.本文重点开展直接冷却型SiC
【机 构】
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中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(电工研究所),北京 100190
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会
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SiC器件由于具有高的禁带宽度,高的热传导,以及高耐压等特点,可以工作于高温,高频条件下,并且能够显著的减小控制器重量和体积逐渐成为研究的热点.本文重点开展直接冷却型SiC混合IGBT功率模块研究与开发,通过SiC SBD选型计算、电气布局设计、直接冷却铜底板设计和封装工艺研究,成功研发出一款直接冷却型SiC混合IGBT功率模块(Si IGBT芯片+SiC SBD芯片)工程样品.相关测试结果表明该SiC混合IGBT功率模块的二极管反向恢复损耗明显小于传统Si IGBT模块;采用直接冷却方式Rth_jf,IGBT和Rth_jf,diode分别降低33％和25％,具有广阔的应用前景.
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