【摘 要】
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新型薄膜铜铟(镓)硒(CuIn(Ga)Se2)太阳能电池因为其吸收层材料-铜铟(镓)硒(CuIn(Ga)Se2)具有高光学吸收系数、直接带隙半导体、与太阳光谱匹配好以及稳定性好等优点成为薄膜
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,能源科学与技术研究室,上海,200050
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新型薄膜铜铟(镓)硒(CuIn(Ga)Se2)太阳能电池因为其吸收层材料-铜铟(镓)硒(CuIn(Ga)Se2)具有高光学吸收系数、直接带隙半导体、与太阳光谱匹配好以及稳定性好等优点成为薄膜太阳能电池的研究重点.用电化学沉积方法制备CuIn(Ga)Se2薄膜材料,可以在低温条件下大面积、连续、多组分同时沉积,具有设备投资小、成膜质量好、成膜速度快、原材料便宜、材料利用率高等优点,而且能在各种形状的衬底上沉积.目前电沉积制备的CuInSe2最高效率为13.5％,用Ga部分替代In获得的四元CuIn(Ga)Se2太阳能电池的最高效率为15.4％.根据文献,发现一步共沉积CIS时In的组分偏低.而且由于硒的饱和蒸汽压低,在热处理的过程往往有有单质硒蒸出,因此In和Se成分不足.为了使CIS吸收层材料具有更多含量的In和Se,本文采用硫酸盐体系用两步法制备了CuInSe2:先在衬底上沉积In-Se,再共沉积Cu-In-Se吸收层材料.
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