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为改善SiO2/Si界面性能一般采用氢气退火工艺钝化界面缺陷,但当器件长期工作在辐射环境时,被钝化的缺陷将重新恢复活性从而引起器件退化或失效,因此研究质子在界面的行为对了解器件界面微观机制至关重要。采用第一性原理对质子在不同的SiO2/Si界面的俘获/释放机制进行计算,CI-NEB（climbing image nudge delastic band）结果表明界面亚氧化键的存在降低了对质子在SiO2/Si界面的输运的势垒,质子更容易被过渡SiO2/Si界面的Si-Si键俘获形成稳定的氢桥结构。