【摘 要】
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在液氦低温环境下,利用高灵敏度与高分辨率的傅立叶变换红外光谱技术,对高纯同位素p 型硅样品的Fano 共振及其声子伴线发生位置进行了实验测量与鉴定。在确定好高纯硅样品光热电离激发的工作温度区域基础上,重点测量了来自同位素硅中浅受主杂质硼(B)不同系列的能级跃迁信号。
【机 构】
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上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通 226019
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在液氦低温环境下,利用高灵敏度与高分辨率的傅立叶变换红外光谱技术,对高纯同位素p 型硅样品的Fano 共振及其声子伴线发生位置进行了实验测量与鉴定。在确定好高纯硅样品光热电离激发的工作温度区域基础上,重点测量了来自同位素硅中浅受主杂质硼(B)不同系列的能级跃迁信号。
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