切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
微波功率芯片的亚微米工艺
微波功率芯片的亚微米工艺
来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:djkangzi
【摘 要】
:
报道一种掺砷多晶硅发射极超自对准亚微米工艺技术,特别适用于研制大面积的硅微波大功率晶体管.文中简述器件结构和工艺,同时给出器件研制的结果.
【作 者】
:
王因生
张树丹
王佃利
傅义珠
盛国兴
桂德成
丁晓明
王志楠
【机 构】
:
南京电子器件研究所(南京)
【出 处】
:
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
微波功率芯片
硅微波大功率晶体管
多晶硅发射极
结构和工艺
器件
工艺技术
自对准
亚微米
大面积
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
报道一种掺砷多晶硅发射极超自对准亚微米工艺技术,特别适用于研制大面积的硅微波大功率晶体管.文中简述器件结构和工艺,同时给出器件研制的结果.
其他文献
浅谈城市规划中生态城市规划设计
生态城市的规划和建设,是目前我国城市发展的趋势。因此在城市的生态化建设中,必须使用科学手段,明确影响城市生态化建设的问题。通过先进的生态视角探索未来城市的规划和发展,让
期刊
城市规划
生态城市
规划设计
耗尽型MOSFET铯掺杂机理研究及工艺监控方法的创立
耗尽型MOSFET中铯Cs掺杂是POWER MOS器件加工过程中的一种特殊工艺,它有别于普通的改变半导体材料导电类型的III-V族元素掺杂,而且利用铯Cs原子与半导体材料中III,V族元素的
会议
耗尽型
元素掺杂
机理研究
特殊工艺
半导体材料
族元素
沟道杂质浓度
预置电压
监控方法
加工过程
二次掺杂
导电类型
掺杂机理
栅电极
原子
器件
开发
深亚微米电子束抗蚀剂
本章讨论了PMMA正性电子束抗蚀剂和SAL601负性电子束抗蚀剂的工艺条件.经过大量实验总结出PMMA的工艺条件为:165℃前烘30分钟,曝光剂量选择380-500μC/cm,在20℃的温度下用MI
会议
电子束抗蚀剂
电子束曝光
工艺技术
浅析高速公路连续配筋混凝土路面施工技术的应用
连续配筋混凝土路面(CPCP)是为了克服接缝水泥混凝土路面的各种病害及改善路用性能而采用的一种混凝土路面结构形式。其具有耐久性好,行车舒适平顺,养护量小及承受重载交通等方
期刊
高速公路
连续配筋混凝土路面
施工准备
大晶粒硅栅抑制硼穿透超薄氧化层的工艺研究
深亚微米CMOS工艺中由注入掺杂形成P型和N型双栅.P型栅中的硼(B)在源漏热退火时会穿透(Penetration)超薄栅氧化层进入沟道引起器件性能的劣化.通常采用氮化氧化层来抑制小尺
会议
沂河大桥灰岩地质条件下桩基础施工技术
山东省临沂市陶然路沂河大桥位于灰岩地质岩溶裂隙地区,区域内有厚覆砂、溶洞、裂隙等不良地质。桩基设计为端承摩擦桩,以桩身摩阻力为全部受力,桩尖端承力为安全储备,故保证桩身
期刊
沂河大桥
灰岩地质岩溶裂隙地区
桩基
施工方法
质量控制
PECVD SiON淀积工艺实验研究
本文应用C-1 PECVD系统从实验上研究了各种工艺条件对SiON淀积速率、折射率及其片内均匀性影响,并从中确定出优化的工艺菜单.
会议
淀积工艺
工艺条件
工艺菜单
淀积速率
折射率
均匀性
优化
应用
系统
实验
基于古镇文化保护与传承的业态布局策略探析——以滑县道口镇为例
近年随着“古镇游”的兴起,多数古镇同质化严重,千镇一面,缺乏个性,成为全国古镇旅游发展面临的共同问题;尤其在业态方面大多数古镇呈现出商业形态单一,商业产品重合等问题。本文以
期刊
高层建筑基坑支护施工技术应用分析
随着我国人口的不断增加和城市化进程的持续推进,城市建设用地越来越为紧张,高层以及超高层建筑不断增加是一种必然的趋势.目前的高层建筑不但在向上拓展空间,也在向地下拓展
期刊
高层
深基坑
支护技术
三月香港为“网”疯狂
香港tom.com3月初招股上市引起的热潮尚未平息,另外两个网络股——中华网旗下的香港网(hongkong.com)及新鸿基集团的新意网(sunevision)也紧随其后相继登场。分析家认为,资
期刊
新鸿基
中华网
泡沫成分
长江实业
资讯科技
互联网站
香港创业板
股市投资者
股灾
市场潜力
与本文相关的学术论文