【摘 要】
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本文用4万居里的60Co源(剂量率2×105 rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行五种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度,最大半峰宽(FWHM
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本文用4万居里的60Co源(剂量率2×105 rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行五种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度,最大半峰宽(FWHM)和电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)、电流-光通量(I-F)等电光学特性分析,得到γ射线对GaN基LED器件的辐照效应.结果发现,辐照后LED器件的发光一致性和均匀性交差,在20 mA工作电流下,最大剂量下器件发光强度衰减近90%,光通量衰减约40%,并得到器件的抗辐照能力的参数为4.039× 10-7rads-1,发现较低的正向偏压下()器件的饱和电流随辐照总剂量增大而增大.
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