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本文通过氧化石墨烯(GO)与V2O5进行原位复合,制备了具有三维纳米线网络/ 二维片层结构的 V2O5/GO 纳米复合材料,由此改善了GO与V2O5纳米线之间的相互分散性,使得复合材料中GO与V2O5在电化学充放电过程中显示出协同效应,V2O5/GO复合材料具有优异的电荷存储/ 转换容量,比电容最高可达310F/g,分别是纯GO、V2O5电极材料的2倍、5倍。随着GO含量的增加,V2O5/GO 复合电极材料的比电容下降,当GO的含量为21wt%时,V2O5/GO复合电极材料具有最高的比电容。此外,三嵌段共聚物P123在形成V2O5纳米线形态中具有决定性的作用,在相同V2O5含量的复合材料中,纳米线V2O5具有比以无规则形态存在的V2O5更高的储电容量。