【摘 要】
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随着GaN基电子器件的应用逐渐向更高频、更大功率和更快速度推进,传统的以AlGaN/GaN异质结为核心的HFET器件开始遭遇瓶颈,探索新型GaN基异质结外延材料势在必行。由于InA
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051
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随着GaN基电子器件的应用逐渐向更高频、更大功率和更快速度推进,传统的以AlGaN/GaN异质结为核心的HFET器件开始遭遇瓶颈,探索新型GaN基异质结外延材料势在必行。由于InAlN材料较强的自发极化效应,InAlN/GaN无应变新型异质结可以兼顾更高2DEG浓度和更薄势垒层厚度,对于高频功率器件和高速数字电路均有重要意义,成为学术界和工业界关注焦点。对于InAlN二元合金材料而言,InN和AlN材料生长条件极不匹配,容易出现合金相分离和Ⅴ型缺陷等现象,高质量InAlN材料外延生长面临较大困难,阻碍其在电子器件的应用。本报告从InAlN/GaN异质结材料基本物理特性出发,介绍了InAlN/GaN异质结材料在微电子领域的研究情况和最新进展。对本实验室在InAlN/GaN异质结材料结构设计、生长和器件方面的工作进行了介绍,并对InAlN/GaN异质结材料应用前景进行了展望。
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