【摘 要】
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以乙酰丙酮铈和乙酰丙酮锆为前驱盐，以正丙酸和异丙醇为溶剂获得了前驱液。用化学溶液方法(CSD)在YSZ和自制的NiW基底上制备出了Ce1-xZrxO2过渡层。研究了前驱液成分、性质以及退火温度对其成相和取向的影响。用常规XRD分析其相成分和织构。结果表明，优化工艺下获得的纯CeO2和Zr掺杂的CeO2薄膜均具有良好的立方织构.通过x射线四环衍射仪测出的Ce1-xZrxO2过渡层的(111)φ扫描和
【机 构】
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北京工业大学国家教育部功能材料重点实验室,北京 100022
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以乙酰丙酮铈和乙酰丙酮锆为前驱盐，以正丙酸和异丙醇为溶剂获得了前驱液。用化学溶液方法(CSD)在YSZ和自制的NiW基底上制备出了Ce1-xZrxO2过渡层。研究了前驱液成分、性质以及退火温度对其成相和取向的影响。用常规XRD分析其相成分和织构。结果表明，优化工艺下获得的纯CeO2和Zr掺杂的CeO2薄膜均具有良好的立方织构.通过x射线四环衍射仪测出的Ce1-xZrxO2过渡层的(111)φ扫描和(200)摇摆曲线的半高宽值说明其具有很强的双轴织构。另外，zr掺杂获得的薄膜的表面质量得到了明显改善，晶粒也得到了细化。
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利用约瑟夫森效应获取电磁信号的频谱信息是超导电子学的重要应用之一.为了解决高频信号频谱检测系统数据采集慢、体积庞大的问题,开发了基于DSP芯片的数据采集及处理系统.研究了系统硬件的搭建和相关程序的开发.用其检测98 GHz高频信号,并与HP34401数字万用表采集的结果进行了比较.使得系统更加小型化、集成化、硬件结构简单.
利用有效质量近似方法,研究了在强弱电场下有两个电子的GaAs半导体量子点中能级移动和强电场下量子点的微观电极化率x.首先,利用微扰法计算了库仑相互作用能△E,计算由于弱电场而引起的Stark能级移动△E1,讨论△E1与特征长度L的关系;其次,在强电场作用下,求出能量变化△E2并将其与弱电场下的情况进行对比;最后,研究了强电场下量子点的x与L的关系.
通过数值计算,深入研究了处于直流零电压状态的约瑟夫森结的非线性电感特性,绘制了约瑟夫森结的等效电感与临界电流和偏置电流的关系曲线.研究了非线性失真的类型,并计算出非线性失真与输入信号电流及偏置电流的关系.计算结果说明约瑟夫森结可以作为可调谐电感器应用.
根据交流Josephson效应,我们研究了嵌入Fabry-Perot谐振腔里的串联双晶Josephson结阵列的微波辐照特性.结阵列是由生长在双晶钇稳定氧化锆(YSZ)基片上的YB2Cu3O7(YBCO)超导薄膜光刻成微桥得到的.实验表明,当电场方向与晶界的夹角为0°时,具有86个串联双晶Josephson结的阵列可以在70-80 GHz微波的辐照下产生相位同步,得到陡峭的台阶.另外,将这种结阵列
测量了氧含量最佳掺杂的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导体的低温X射线衍射。对于最佳掺杂样品，高精度的x衍射可以发现其(013)，(103)，(113)和(020)等衍射峰的d值的温度关系在Tc=91 K附近有细微的异常，同时(103)、(013)和(113)等衍射峰积分强度均在Tc附近出现明显的反常变化。例如，(103)和(013)的峰强度先有所下降，然后又增加，而在Tc处形成一个极小值。衍
采用熔盐法、溶胶-凝胶法、高温高压法及固相反应法4种方法制备出BaPb0.75Bi0.25O3(BPBO)超导体，并对其晶体结构、形貌及超导电性进行了测试和分析。由于熔盐法首次被用来制备BPBO超导体，因此着重研究了熔盐法的制备特点以及所得样品的物理性质，并与另外3种制备方法进行比较。x射线粉末衍射结果表明，用4种方法制得的样品都有很好的单相性，无杂相，晶体结构属四方晶系。磁性测量结果显示其超导转
分别在常压和高压下利用固相反应法制备了Mg1.05-x(HgO)xB2多晶样品，并研究了HgO掺杂对MgB2样品性能的影响。在两种不同的反应条件下制备的样品，超导转变温度随掺杂量的增大都有一定幅度的下降，但晶体结构和临界电流密度(Jc)则有显著的不同。常压下HgO掺杂可使上降低，而高压下一定量的掺杂则使Jc增大。由扫描电镜结果分析可得，高压下制各的样品晶粒间联系紧密，尺寸较小，从而使其临界电流密度
La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备。X射线衍射表明：LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构。磁化率测量显示：Sr掺杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变；Tc随x的增大呈抛物线形式变化，且在X=18时达到最大值28 K。电阻的测量显示：随掺杂量的增大，系统呈现从绝缘到半导体，最后到金属的导电行为的变化。在欠掺杂区，正常态电阻温度
介绍了几种制各高强度、低磁性、表面具有锐利双轴织构的金属NiW基带的思路和工艺路线，并表征了其性能。结果表明，所获得的Ni7W以及一系列Ni基复合基带的立方织构分别同商业的Ni5W基带相当或较好，而强度和磁性均较Ni5W基带有较大改善。而且其制备思路和手段作为一种行之有效的方案，也为进一步优化NiW合金基带乃至其他合金基带的性能提供了依据。
采用化学溶液法在Niw(200)基带上进行了Ce1-xSmxO2-y(x=0,0.2，1)缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明，化学溶液法可以成功制备出双轴织构的Ce1-xSmxO2-y缓冲层：在x=0和x=0.2的情况下，所制备的缓冲层有裂纹产生；但是随着x的增加，开裂现象被逐步抑制。对x=1的sm2O3缓冲层而言，当厚度增加到120 nm时依然没有产生裂纹，表明Sm2O3缓冲层可以作为单一缓冲