Nonvolatile Memory Based on Few-Layer Materials

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gang098
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  In the first part,I will talk about our recent research on charge-trap memory with high-κ dielectric materials.It is considered to be a promising candidate for next-generation memory devices.Ultrathin layered two-dimensional(2D)materials like graphene and MoS2 have been receiving much attention because of their novel physical properties and potential applications in electronic devices.
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