量子比特是构建量子计算机的根本基石，由于电子自旋可以通过微波操控产生量子相干现象而成为量子比特的重要成员。自旋量子比特在国际上受到越来越多的关注，特别是最近三年来室温量子相干现象的发现为量子计算机的发展带来了新的曙光。我们课题组通过传统的交流磁化率表征手段结合脉冲EPR的测试对分子基量子比特进行研究。通过对配体和同位素等方式调节配合物的对称性，振动模式等等，得到了一些重要的发现。本论文我们通过不同环境下晶体的生长得到了具有C1和C4对称性的三价钕的配合物。通过直流/交流磁化率，脉冲磁化实验分析发现，这两个化合物都是易面磁各向异性，自旋慢弛豫现象是由于声子瓶颈效应(phonon-bottleneck effect)造成的。在超低温条件下我们在240GHz脉冲EPR下观测到量子相干现象，并且初步得出结论：对称性越高可能更加有利于观测到量子相干，以及延长量子退相干的时间。