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介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉式技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉式技术(VCZ/PC-LEC)垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向.还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素.
InP单晶材料发展与现状
【摘 要】
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介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉式技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉式技术(VCZ/PC-LEC)垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方
【机 构】
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河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室
【出 处】
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第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会
【发表日期】
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2005年期
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