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SiGe-半导体材料的新生力量
SiGe-半导体材料的新生力量
来源 :第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jooey
【摘 要】
:
SiGe材料就是在Si中引入适量的Ge形成SiGe合金。用SiGe合金作晶体管的基区,由于Ge的引入,使基区能带变窄,从而大大提高了发射区电子的注入效率。本文分别探讨了SiGe的优势、制备
【作 者】
:
张静
【机 构】
:
模拟集成电路国家重点实验室,中电集团第24研究所重庆市南坪花园路14号,400060
【出 处】
:
第三届高新技术用石英制品及相关材料技术与市场研讨会
【发表日期】
:
2005年9期
【关键词】
:
SiGe材料
半导体材料
晶体管基区
电子注入效率
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SiGe材料就是在Si中引入适量的Ge形成SiGe合金。用SiGe合金作晶体管的基区,由于Ge的引入,使基区能带变窄,从而大大提高了发射区电子的注入效率。本文分别探讨了SiGe的优势、制备技术、材料技术的发展趋势及器件、电路发展趋势。
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