【摘 要】
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本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备n 型纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜，系统研究了沉积参数，特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和缺陷态的影响，获得了器件质量的n 型nc-Si:H
【机 构】
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中科院研究生院物理系 北京100039
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本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备n 型纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜，系统研究了沉积参数，特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和缺陷态的影响，获得了器件质量的n 型nc-Si:H 薄膜。制备了nc-Si:H/c-Si HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer) 结构太阳能电池，研究了异质结结构参数对电池性能的影响，初步得到电池性能参数如下：Voc=483mV，Jsc=29.5mA/cm2，FF=70﹪，η=10.2﹪。
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