射频功率异质结双极晶体管自加热效应及补偿方法

来源 :中国电子学会第十一届青年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yanjiajian7758

【摘要】

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本文从器件Ⅰ～Ⅴ特性的角度表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应.研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(△EV)等诸多因素对器件I-V特性的影

【作者】

：

金冬月[1]杨经伟[2]张万荣[2]吴春瑜[1]朱连仓[2]

【机构】

：

辽宁大学物理系,辽宁,沈阳,110036

【出处】

：

中国电子学会第十一届青年学术年会

【发表日期】

：

2005年期

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本文从器件Ⅰ～Ⅴ特性的角度表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应.研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(△EV)等诸多因素对器件I-V特性的影响.进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系.结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE).

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