【摘 要】
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本文采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将2nm厚的AlOx层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe与NiFe/Ta界面,研究了退火对超薄NiFe薄膜性能的影响。传统的Ta/NiFe/Ta超薄薄膜,在退火后薄膜性能下降,磁电阻变化率及磁场灵敏度均出现下降趋势，而具有AlOx插层的NiFe薄膜,在退火后性能得到明显改善,磁电阻变化率及磁场灵敏度均得到大幅度提高。性能提高
【机 构】
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北京科技大学,材料物理与化学系,北京,100083
【出 处】
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二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛
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本文采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将2nm厚的AlOx层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe与NiFe/Ta界面,研究了退火对超薄NiFe薄膜性能的影响。传统的Ta/NiFe/Ta超薄薄膜,在退火后薄膜性能下降,磁电阻变化率及磁场灵敏度均出现下降趋势，而具有AlOx插层的NiFe薄膜,在退火后性能得到明显改善,磁电阻变化率及磁场灵敏度均得到大幅度提高。性能提高的主要原因是AlOx插层在退火以后晶化,对传导电子起到“镜面反射”作用,并同时抑制了Ta/NiFe与NiFe/Ta界面间的界面反应,减少了Ta层的分流。
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