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本文介绍了一种基于气体渗C的微弧氧化法(MAO)制备高含量取代型C掺杂TiO2光催化薄膜的 方法，即首先利用气体渗C技术在Ti基体表面先形成一层TiCx膜，再对渗C处理后的Ti基体进行MAO处 理。利用微弧氧化过程极快速的氧化过程将Ti氧化成TiO2，同时又最大限度地保留Ti-C结构，从而 制备出高含量、取代型的C掺杂TiO2薄膜。相对于传统的热处理方法，此方法将C含量提高到6.07 at.％。与未掺C的TiO2薄膜相比，掺C的TiO2薄膜的紫外-可见吸收光谱产生红移，其禁带宽度降低到 2.77 eV，同时光催化性能也得到显著提高。