脉冲源激发射频容性放电非线性振荡以及极板覆盖介质层对氢气放电影响的PIC模拟

来源 :第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wl349682847
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引言负氢离子源因具有高中性化效率,低表面充电等特性,在磁约束核聚变、高能物理、半导体刻蚀、材料改性和纳米材料制备等领域获得了重要应用.在核聚变方面,基于负氢离子源的中性束注入是下一代托卡马克装置,如国际热核聚变实验堆(ITER)必不可少的辅助加热手段.要产生大量的负氢离子,必需先制备高浓度的高振动态氢分子H2(v) (v>5).高振动态氢分子主要来源于高能电子和基态氢分子的EV反应.
其他文献
介质阻挡放电(dielectric barrier discharge,DBD)近年来在工业上应用广泛,如表面处理、清洁、杀菌、刻蚀等.DBD可直接工作在大气下,不需要昂贵的真空环境,工业应用前景非常吸引人.DBD既可在直流或交流电源下工作,也可在脉冲电源下工作.
会议
目前火电厂烟气处理主要采用石灰石石膏脱硫法和选择性催化还原脱硝法(SCR)。石灰石石膏法存在运行维护费用高、易造成二次污染的问题;SCR所使用的催化剂价格十分昂贵,成本高。等离子体技术能够实现脱硫脱硝一体化处理。传统的等离子体处理技术主要有电子束辐照氨法和脉冲电晕法。但是,电子束辐照氨法运行费用高,电子束辐射危害性大;脉冲电晕法能耗高、运行效率不稳定。我们采用的新型电极结构,能够在大气压空气环境下
介质阻挡放电可以在大气压下产生低温等离子体,在材料表面改性等工业领域有广泛应用.大气压氮气介质阻挡均匀放电属于汤森放电,并且以一种反常的方式熄灭,即放电电流脉冲出现后,气隙电压不降反升,放电在气隙电压上升过程中熄灭.为了实验研究阻挡介质材料表面"浅位阱"(能级< 1eV)对大气压均匀放电的影响,探究"反常熄灭"现象的机理,本文研制了一套热刺激电流(TSC)测量装置,该装置可以施加最高25kV直流电
引言双频容性耦合等离子体由于其能独立控制入射到处理器件表面的离子通量和能量而被广泛的应用到微电子刻蚀工艺中,刻蚀的效果主要取决于离子能量和角分布情况,所以研究离子能量和角分布对刻蚀工艺至关重要.实验与模拟实验上我们利用具有能量分辨的四级杆质谱仪,测量了双频(1.6/60MHz)容性耦合Ar/O2 (90%/10%)混合放电打到下极板中心处离子能量的变化情况.
会议
引言感应耦合等离子体(ICP)放电中存在两种放电模式:容性放电(E模式)和感性放电(H模式).增大或减小射频功率放电模式会发生E-H或者H-E模式转换.模式转变过程受等离子体外部控制参数的影响,在低气压时,E-H模式转换时等离子体状态参数是连续的变化;然而在高气压下时等离子体参数变化是一种跳变.
会议
氮气是基础研究中最常用的工作介质,因而对其物理化学特性的深入理解,如对分子势能曲线、光谱常数以及电子碰撞反应截面的研究在大气物理、化学物理、气体放电等领域中有着重要的意义.其中,在实验或理论上获得精确的电子碰撞激发及辐射截面已经受到更多地重视,成为物理化学反应过程的主要研究课题之一.
引言射频感应耦合等离子体源(ICP)具有等离子体密度高(1011-1012 cm-3)、工作气压低(0.1-100 mTorr)、独立的控制离子能量和等离子体密度及装置结构简单等优点,从而被广泛地应用于等离子体辅助加工领域,尤其是应用于半导体芯片刻蚀工艺.众所周知,ICP存在两种运行模式:E模式和H模式.
会议
以尘埃等离子体为主要研究对象的复杂等离子体物理研究已经有二十多年的历史.前十年的发展经历了从空间、天体尘埃及相关等离子体物理过程研究到实验室中各种复杂等离子体波现象的研究的发展过程.其中标志性的成果是1990年尘埃声波理论的提出[1]和1994年在不同实验室中尘埃晶格[2-4]的发现.
会议
大气压射流等离子体的生成,无需真空设备,且其应用不受物品尺寸和形状的限制,因而被广泛地应用于消毒灭菌、材料表面处理、生物医学等方面。本文分别采用电场仿真和实验研究的方法,对外双表面电极和内外交错双表面电极结构的放电特性进行了分析。电极结构如图1所示。
引言低温等离子体刻蚀和沉积、以及磁约束核聚变中的中性束加热都需要得到具有一定能量和方向的离子束.我们可以通过栅网从等离子体源中单独的引出离子,然后通过外加偏压对离子进行能量和方向的控制.离子的能量主要取决于外加偏压的大小,而离子引出的方向和栅网附近鞘层的分布相关.
会议