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采用AlGaInAs/InP材料体系,制做出RWG,弯曲波导结构的高功率,低rippleSLD,结果显示在250mA条件下器件输出功率为19mW,3dB带宽为30nm左右,ripple＜0.3dB.
1.3μm大功率、低Ripple AlGaInAs/InP超辐射发光二极管
【摘 要】
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采用AlGaInAs/InP材料体系,制做出RWG,弯曲波导结构的高功率,低rippleSLD,结果显示在250mA条件下器件输出功率为19mW,3dB带宽为30nm左右,ripple＜0.3dB.
【机 构】
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武汉光迅科技股份有限公司,武汉,430074
【出 处】
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全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议
【发表日期】
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2005年7期
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