掺杂CeO固体电解质材料的制备及其性能研究

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gxy97
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以硝酸盐为原料,采用有机物辅助的水基凝胶浇注(Gel-casting)工艺合成出了Gd<,0.1>Ce<,0.9>O<,1.95>(DCO)粉体,研究了其相组成、结构及性能和合成工艺的关系,并测定了粉体的烧结行为及DCO烧结体的电化学特性.试验结果表明,采用本实验的Gel casting方法,在较低的温度下煅烧干凝胶,即可制备出统度高、组成均匀、相结构完整、粒度细小的DCO粉体.以该粉体为原料,经压制成型所得生坯1450℃温度下烧结,所得烧结体组织致密,相对密度可达95℅以上.所制备的DCO电解质材料在空气中、700℃温度下的电导率可达0.05S/cm.
其他文献
本文对铁磁性超导体GdSrRuCuO的结构、磁化强度和电阻进行了观测.结果发现:在GdSrRuCuO样品中超导电性和铁磁性共存.其超导临界温度为T=46K,Tc(ρ=0)=25K,而且其电阻-温度关系呈现典型的欠掺杂高温超导体特性.Ru离子在T=136K以下形成铁磁有序,Gd离子在2.2K以下形成了反铁磁有序.这三种有序态不存在竞争效应.
利用正电子湮没实验,对YPrBaCuO(x=0.0~1.0)体系进行了系统的研究,给出了正电子湮没参数随Pr替代含量的变化,分析了正电子在Cu-O链上的捕获情况以及Pr浓度对Cu-O链的影响,从局域电子结构特征出发,讨论了Pr抑制超导电性的可能机制.
采用1HMNR、FTIR、UV/V、SEM、XRD等分析测试手段对环取代聚苯胺衍生物的结构形态进行表征,结果表明在PmMAn、PDMAn、PmClAn分子链结构中,苯式结构单元与醌式结构单元之比分别为:4:1、3:1、3:2.而聚合物的结晶性依POT、PDMAn、PmMAn、PmClAn顺序增加;与本征态的比较,质子酸掺杂后聚合物的结晶性有所提高.
采用化学溶液沉积法在硅(100)衬底上制备了以BiTiO为隔离层的PZT铁电薄膜,研究测量了退火温度、时间对薄膜的晶体结构和表面形貌的影响,结果表明,在750℃退火10min可以得到结晶性较好、具有单一钙钛矿结构PbZrTiO的薄膜.薄膜表面无裂纹、晶粒排列致密、晶粒大小及分布均匀.薄膜的介电常数为59.4,介电损耗为0.016.偏压从-10~10V,记忆窗口为2V.外加电压达11V时,漏电流密度
BiTiO介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件.我们采用化学溶液沉积法制备了φ75mmBiTiO介电薄膜,介电常数大于123,厚度不均匀性少于5℅,外加10V电压时,各点漏电流小于5×10A/cm,表明BiTiO介电薄膜绝缘性高、介电常数和厚度均匀,适合于制备新型绝缘栅场效应器件.
制备了(NdY)FeTi(0≤x≤0.6)化合物,通过X射线衍射和磁性测量等手段研究了(NdY)FeTi(0≤x≤0.6)化合物的结构和磁性.这些化合物均为Nd(Fe,Ti)型结构,A2/m空间群.化合物晶胞体积随Y含量增加而单调减少,居里温度Tc随Y含量增加略有降低,说明化合物的居里温度主要由Fe-Fe之间的交换相互作用所决定.5K时饱和磁化强度Ms随Y含量的增加而单调降低,与一个简单的稀释模型
本文对FeNbAlGePCB(x=1、3、5at℅)非晶合金的过冷度及磁性进行了研究.结果表明:该合金系具有较宽的过冷液相区和较强的玻璃形成能力,△Tx分别为66K,62K和45K.Nb为1at℅时合金具有最大过冷度(66K),采用1000r/min辊速喷制的合金条带为完全非晶相且厚度为100μm,饱和比磁化强度σs=148Am/kg,,矫顽力Hc=52A/m.经500℃退火15min后,试样的σ
本文研究了PrFeB合金快淬薄带磁性能,显微结构与快淬速度(辊速)之间的相互关系规律,用最佳快淬速度Vc制备的合金带有最佳的磁性能,即Br=1.23T,Hei=461.6kA/m,(BH)m=166.4kJ/m,偏离最佳快淬速度合金薄带的磁性能均不好,它与组织结构变化有关.
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用硬脂酸凝胶法制备的纳米TiO为光催化剂(粒径为19nm),选择具有典型偶氮染料结构的甲基橙水溶液(浓度为20mg.dm)作为光催化体系,研究了催化剂浓度,TiO的晶型及通氧量等因素对光催化性能的影响,得到了一些有意义的结果.