【摘 要】
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工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了一些研究。目前，对于λ=5.2μm器件，RA值达到68
【机 构】
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中国科学院传感技术国家重点实验室, 上海技术物理研究所
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工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了一些研究。目前，对于λ<,c>=5.2μm器件，R<,0>A值达到68Ω-cm<2>，黑体探测率D<.,bb>(500K)可达2×10<10>cm-Hz<1/2>/W；对于λ<,c>=14.5μm的器件，R<,0>A值达到0.2Ω-cm<2>，黑体探测率D<.,bb>(500K)可达1×10<10>cm-Hz<1/2>/W。
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