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近年来，利用纳米压印、原子力刻蚀、电场组装等方法制备并组装了ZnO、SnO2、WO3、CuO等氧化物半导体纳米结构及纳米器件。系统研究了一维纳米结构的输运特性。研究表明，纳米线的输运特性受肖特基势垒的控制，纳米线的表面态是形成肖特基势垒的关键因素。发展了电化学沉积、UV光照等调控纳米结构输运特性的有效方法。通过利用纳米线肖特基势垒，发展了一些高性能的光电器件，例如：具有高灵敏度、快速回复特性的紫外光检测器，在室温下具有超高灵敏度的气敏传感器等。