SnO2纳米片的制备及其优异的气敏性能

来源 :第九届全国无机化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ZLF308440423

【摘要】

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　　二氧化锡(SnO2)是一种重要的n-型半导体,其带隙宽度是3.6 eV,具有独特的物理和化学性能,目前被广泛的应用为透明导电氧化物材料和气体传感器中[1].目前,人们已经用各种物

【作者】

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袁煜昆刘俊芳杨合情

【机构】

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陕西师范大学材料科学与工程学院,陕西西安,710119

【出处】

：

第九届全国无机化学学术会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

SnO2 纳米片法制备氧化物材料气体传感器物理透明导电气敏性能

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　　二氧化锡(SnO2)是一种重要的n-型半导体,其带隙宽度是3.6 eV,具有独特的物理和化学性能,目前被广泛的应用为透明导电氧化物材料和气体传感器中[1].目前,人们已经用各种物理和化学方法制备出了形貌丰富的SnO2 纳米结构,而质量轻、大尺寸、厚度薄的SnO2 纳米片的制备及其气敏性能的研究还未见报道.本实验利用快速热反应法,在650 ℃ 反应10 min 制备出了四方相结构的SnO2 纳米片.

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