【摘 要】
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InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一.相比于碲镉汞探测器,共同点在于相近
【机 构】
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华北光电技术研究所,北京100015
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InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一.相比于碲镉汞探测器,共同点在于相近的吸收系数、截止波段从短波到超长波连续可调,允许光伏器件模式操作.优越性在于降低了俄歇复合及漏电流,提高了探测器性能,工作温度高.理论计算表明,由焦耳热限制的探测率InAs/GaSbⅡ类超晶格理论限比碲镉汞高,尤其在长波和甚长波上波段.本文报道了中电1 1所在长波InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的设计、材料生长以及初步的器件验证工艺技术.结果表明通过突破界面控制、优化外延条件已经获得晶体质量较好的长波Ⅱ类超晶格,材料应变小于-0.02％,-1级卫星峰半峰宽(高分辨XRD测试)24.4arcsec,表面缺陷密度小于1000cm-2,并通过制备单元器件验证,后续正在通过制备320×256以及128×128面阵器件来验证材料性能.
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