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本文通过分析器件功能失效与静态功耗电流上升的关系,结合加入辐射影响因素的HSPICE电路仿真,研究了不同工艺尺寸静态随机存储器(SRAM)的总剂量辐射损伤特征及机制.研究结果表明:微米工艺器件在较小静态功耗电流上升时存储单元发生数据保存错误(Data retention fault),总剂量辐射使超深亚微米工艺器件功静态功耗电流远大于额定静态功耗电流导致器件功能中断(Function Interrupt),纳米工艺器件的辐射损伤表现为静态功耗电流上升,但在关心的剂量范围内未出现功能失效.本文中的试验与理论分析结果对SRAM器件的总剂量辐射效应评估及加固都有一定的意义.