在环境保护和太阳能转化领域,半导体光催化剂正扮演着一个非常重要的角色。为了扩大对太阳光的利用率,研究者将尝试设计对可见光（λ>420 nm）有响应的半导体光催化材料。其中,通过构筑在两种半导体材料间构筑异质结,就是一种有效提升光催化效果的手段。BiV04是具有层状结构的典型三元半导体氧化物,因其铁弹性、离子传导性、声光转换等独特性而受到关注,BiVO₄成本低、带隙宽度适中,在催化氧化污染物方面显示了优越的活性。本文采用固相研磨法,将BiVO₄与石墨相氮化碳（g-C₃N₄）研磨,在马弗炉内,300℃下煅烧复合,以提高BiVO₄的光催化性能。利用XRD、SEM、TEM、FTIR、UV-Vis、PL、XPS等手段表征复合材料的晶型、形貌、元素组成、吸收光性能、元素价态等光电化学性质。以甲基橙（MO）作为探针分子,考察BiVO₄/g-C₃N₄复合光催化剂在可见光下对MO的光催化性能。实验结果表明,其中以摩尔比为5:5的BiVO₄/g-C₃N₄的光催化剂催化效果最佳,60min可达83%。